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title: "HBM 집중이 패착이 될까… 틈새 D램 시장서 CXMT 웃는다"
author: "VibeTimes"
published: "2026-10-28T06:05:57.365Z"
section: "technology"
tags: ["빌리 렁", "중국", "미국", "HBM", "집중", "패착", "될까", "틈새"]
language: "en"
url: "https://vibetimes.co.kr/en/news/cmvrpiwrrrz1djxq9dzbw17e8"
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# HBM 집중이 패착이 될까… 틈새 D램 시장서 CXMT 웃는다

삼성전자와 SK하이닉스의 'HBM 집중'이 중국 CXMT를 키우고 있다. 28일 로이터통신은 이들이 고수익 HBM(고대역폭 메모리, AI용 고사양 반도체)에 생산능력을 몰면서 일반 D램(컴퓨터용 메모리 반도체) 시장에서 CXMT가 성장할 기회를 얻었다고 분석했다. HBM 수요가 AI 데이터센터 투자 확대로 급증하면서 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 이 시장에 투자를 집중한 결과 일반 D램과 낸드플래시(대용량 저장용 반도체) 공급은 제한적이었고, 그 틈에 중국 기업들이 수주를 늘릴 여지가 열렸다.

CXMT의 D램 기술이 상위 경쟁사보다 수년 뒤처져 있지만 최근 시장 변화가 전례 없는 성장 기회를 만들어주고 있다는 분석이 나왔다. 투자기관 번스타인은 CXMT의 영업이익이 2025년 80억 위안(약 1조6천억 원)에서 2027년 6430억 위안(약 129조 원)으로 늘어날 것으로 예상했다. 앞으로 3년간 680억 달러(약 97조 원) 이상을 설비 투자에 쏟으며 증설할 수 있다는 전망도 내놨다. 시장 점유율 전망도 CXMT의 상승세를 보여준다. 조사기관 카운터포인트리서치는 CXMT의 글로벌 D램 출하량 점유율이 2025년 8%에서 2028년 11%까지 상승할 것이라고 예측했다. 이 기관은 점유율이 최소 15%에 도달하면 장기 생존 기반을 갖출 수 있다고 덧붙였다. 한편 중국 기업들이 자본을 축적한 뒤 기존 경쟁 구도를 뛰어넘는 차세대 기술 개발에 성과를 낼 수 있다는 전망도 나온다. 중국 정부는 자본 축적 후 차세대 기술 개발로 추격하는 이 전략을 '차선 변경 추월'이라고 부른다고 전해졌다.

블룸버그는 27일 CXMT의 공격적인 D램 생산 투자가 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 3강에 실질적 위협으로 떠오르고 있다고 보도했다. CXMT가 기술적으로 뒤처져 있다는 점이 오히려 생산량 확대에 집중하도록 자극해 업계 전체의 공급 과잉 위험을 키울 수 있다는 분석이다. 미국 자산운용사 글로벌X의 빌리 렁 투자전략가는 '중국의 D램 생산 확대가 메모리반도체 평균 가격에 하방압력을 더할 수 있다'고 말했다.

다만 투자기관 맥쿼리는 중국 메모리반도체 기업들의 생산 능력이 아직 자국 고객사 수요를 충족하기도 부족한 수준이라 글로벌 공급과잉 위험은 크지 않다고 봤다. CXMT의 위협 평가가 엇갈리는 가운데, CXMT가 D램 시장에서 점유율을 확보할 수 있을지가 관건이 될 것으로 보인다.