--- title: "EUV 없이 3나노급 찍은 중국… 삼성 2위 마지노선 0.5%P" author: "VibeTimes" published: "2026-09-19T06:10:01.048Z" section: "technology" tags: ["중국", "반도체", "SMIC", "삼성전자", "파운드리", "DUV", "리소그래피", "GAA", "트랜지스터", "TSMC", "수출통제", "점유율"] language: "ko" url: "https://vibetimes.co.kr/news/cmu7zmyffaxi056q3d458lx08" --- # EUV 없이 3나노급 찍은 중국… 삼성 2위 마지노선 0.5%P 중국 과학원이 EUV 없이 3나노급 성능의 트랜지스터를 구현했다는 보도가 나오기 일주일 전, 트렌드포스가 2분기 글로벌 파운드리 점유율을 내놨다. 삼성전자 5.9%, 중국 SMIC 5.4%. 2위와 3위의 격차는 0.5%포인트다. 첨단 장비를 통제하면 중국을 막을 수 있다는 가정과, 그 벽이 뚫리며 흔들리는 한국 2위 — 두 흐름이 같은 지점에서 맞부딪힌다. ## EUV 없이 '3나노급'이 나온 까닭 중국과학원(CAS)이 DUV 노광 장비로 게이트 올 어라운드(GAA) 트랜지스터를 만들었다고 wccftech가 17일 보도했다. on-off 전류비가 50만을 넘고, 셀 밀도는 137.8MTr/mm²로 TSMC 5나노(N5) 수준이다. 미국 수출통제로 EUV를 살 수 없는 중국이 장비 대신 트랜지스터 구조로 집적도를 끌어올린 것이다. SCMP는 19일 중국이 구형 노광 장비로 3나노에 접근하는 경로를 담은 연구 흐름을 보도했다. ## '성능 3나노'와 '양산 5나노' 사이 단정은 이르다. 트랜지스터 형성(FEOL)만 GAA 개선의 혜택을 받고, 중간공정(MEOL)과 최하단 금속층의 정밀 식각은 그대로라 실질 양산은 5나노급에 그친다는 게 wccftech가 인용한 반도체 기술 분석의 결론이다. UBS는 중국 노광 기술이 ASML 최신 EUV와 약 10년 격차라고 본다. TSMC는 올해 안에 2나노 웨이퍼 월 10만 장 체제로 넘어간다. 격차는 좁혀지지만 역전은 아니다. ## 그래도 시장은 먼저 움직인다 SMIC는 국내 장비사 AMEC의 ALD 장비 검증을 통과했고 N7·N5 공정에 백사이드 전력 공급 기술 도입을 검토 중이다(트렌드포스 17일). 화웨이는 AI 가속기 '어센드 960' 출시를 2027년 3분기에서 1분기로 앞당겼다(wccftech). 우회 경로가 조립되는 속도가 규제의 벽이 높아지는 속도를 따라잡는 중이다. ## 위기는 첨단이 아니라 2위 자리에서 구분 2Q26 매출 전분기 대비 점유율 TSMC 약 402억 달러 +12.1% 72.5% 삼성전자 32.6억 달러 +1.8% 5.9% SMIC 30억 달러 이상 +20.0% 5.4% 삼성은 HBM 베이스 다이 주문과 5·4나노 이상 단가 인상으로 매출을 늘고도 점유율을 잃었다. SMIC는 PC·노트북 공급망 사전 조달과 AI 주변 IC·서버 네트워크 주문으로 분기 매출이 20% 뛰었다(트렌드포스). 메모리 호황이 파운드리 지위를 지켜주지 못한다는 뜻이다. 파운드리 2위는 공정 양산 규모 그 자체로 반도체 클러스터 일자리와 소부장 수요에 붙는 자리다. ## 규제가 아니라 경쟁력이 답이다 수출통제는 시간을 벌어줬지만, 그 시간 동안 삼성 파운드리의 상대적 위치는 오히려 나빠졌다. 반론도 분명하다. CAS 성과는 실험실 단계이고 MEOL 한계로 상용화까지는 멀며, 첨단에서 TSMC·삼성의 2나노 경쟁이 계속된다는 지적이 우세하다. 다만 0.5%포인트 차이의 2위 경쟁에서는 실험실의 속도가 곧 시장의 속도가 된다. 한국이 의지해야 할 것은 규제의 벽이 아니라, 벽이 무너지는 날에도 이기는 수율과 단가, 고객 목록이다. * * * _분석 근거: TrendForce 2Q26 파운드리 순위 발표(2026.9.9) 및 SMIC 백사이드 전력 관련 보도(2026.9.17), wccftech CAS GAA-DUV 트랜지스터 보도(2026.9.17), SCMP(2026.9.19). 공개 데이터·보고에 근거한 분석입니다._