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サムスン電子、AMDのEPYCプロセッサでテストインフラを高度化へ

모민철모민철 기자· 2026/11/11 20:01:20· Updated 2026/11/11 20:01:20

サムスン電子がAMDの次世代プロセッサと自社のメモリー・ストレージを組み合わせ、半導体テストインフラを高度化させる。高性能メモリーや入出力装置の性能を検証する過程に必要な演算能力とデータ処理速度を確保するための協力だ。

11日、関係業界によると、AMDは第6世代「EPYC Embedded 9006」シリーズを公開し、サムスン電子製品との組み合わせ構成を併せて紹介した。適用される製品は、DDR5 RDIMMとMRDIMM(高帯域幅サーバー用メモリー)、最新インターフェース規格であるPCIe第6世代ベースのソリッドステートドライブ(SSD)「PM1763」、データとメモリーを高速で接続するCXL 3.2ベースのメモリーモジュール「CMM-D MD310」などだ。

新型EPYC Embeddedプロセッサは最大256コアを搭載し、PCIe第6世代とCXL 3.1接続をサポートする。AMDによると、第5世代EPYC 9005シリーズと比較してスループットは最大1.8倍高い。

活用範囲は、半導体自動テスト装置(ATE)、エンタープライズストレージ、ネットワークセキュリティ装置などの産業用システムだ。プロセッサは半導体テスト装置においてメモリーとストレージの検査作業を管理し、複数のテストを同時に進める役割を担う。特にDDR5 RDIMMと次世代MRDIMM、PCIe第6世代およびCXLベース装置を検証する過程で必要な演算・データ処理機能を提供する。

サムスン電子メモリー商品企画チュームの崔長錫(チェ・ジャンソク)常務は、AMDニュースルームを通じて「サムスン電子のメモリー・ストレージ製品とAMDプロセッサの組み合わせは、製造テストインフラに必要な演算性能、メモリー帯域幅、高速入出力能力を大幅に強化できるだろう」と述べた。サムスン電子は、今回の組み合わせ構成を通じて、メモリーと入出力技術の発展速度に合わせ、製造テスト環境の性能と帯域幅を大幅に高められると期待している。

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