#안후이성

CXMT가 11.95나노미터 D램 양산에 나섰다

중국 메모리 반도체 업체 CXMT(창신메모리테크놀로지)가 회로 간격 11.95나노미터의 D램 5세대 기술 플랫폼 양산을 시작했다고 20일 허페이에서 공개했다. 새 플랫폼은 4세대 대비 웨이퍼당 칩 생산량이 최소 50% 늘어 전력 효율과 원가 경쟁력이 개선됐으며, 이 기반의 24Gb LPDDR5X 제품 2종은 이미 중국 주요 스마트폰 업체의 플래그십 제품에 공급 중이다. 뤄샤오둥 부사장은 해당 공정 수준이 업계 최첨단 양산 공정과 대등하다고 밝혔다.