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CXMT가 11.95나노미터 D램 양산에 나섰다

중국 메모리 반도체 업체 CXMT(창신메모리테크놀로지)가 회로 간격 11.95나노미터의 D램 5세대 기술 플랫폼 양산을 시작했다고 20일 허페이에서 공개했다. 새 플랫폼은 4세대 대비 웨이퍼당 칩 생산량이 최소 50% 늘어 전력 효율과 원가 경쟁력이 개선됐으며, 이 기반의 24Gb LPDDR5X 제품 2종은 이미 중국 주요 스마트폰 업체의 플래그십 제품에 공급 중이다. 뤄샤오둥 부사장은 해당 공정 수준이 업계 최첨단 양산 공정과 대등하다고 밝혔다.

미국이 금지령을 쓰는 동안, 중국 DRAM은 10%를 넘었다

중국 CXMT의 DRAM 점유율이 2분기 10%를 넘었다. 미국의 금지 압박과 86억 달러 IPO, 그 사이 낀 한국 메모리의 선택지를 데이터로 짚는다.