SKハイニックス、龍仁・清州に54兆ウォン投資…AI半導体競争力を確保

SKハイニックスは次世代AIメモリ半導体の生産のため54兆3000億ウォンを投資する。龍仁と清州に新規ファブ（Fab）を建設する案件が取締役会で承認された。今回の決定は今年6月に公開した中期投資戦略を段階的に実行する過程の一環だ。政府が推進中の龍仁半導体クラスターと清州生産拠点メガプロジェクトに対する具体的な実行計画である。

龍仁半導体クラスターには「Y2」ファブが35兆2000億ウォン規模で投資される。来年7月着工して2029年6月に最初のクリーンルームを稼働し、高帯域幅メモリ（HBM）を含む次世代DRAMの生産拠点として活用される。

清州キャンパスには「M17」ファブが19兆1000億ウォン規模で投資される。来年2月着工して2028年12月に最初のクリーンルームを稼働し、AI向け企業向けSSDなど向けのNAND生産拠点として活用される。