#트랜지스터
D램 삼국지…4F²에 걸린 한국의 5년
마이크론은 4F²를 '신화'라 불렀고 CXMT는 연내 서버용 D램 출시를 예고했다. 삼성·SK하이닉스의 정공법은 2027~2028년 양산 성패로 채점받는다.
마이크론이 '신화'라 버린 4F², 한국이 목숨 거는 이유
마이크론이 4F² D램을 '신화'라며 공식 포기한 가운데 삼성전자·SK하이닉스는 정공법을 유지하고 CXMT는 우회로로 몰렸다. 2027~2028년 양산 성패가 메모리 판도를 가른다.
HBM 수요 쏠림에 성숙공정도 가격 인상
HBM 질주에 성숙공정 품귀…대만 파워칩 순익 4배 뛰자 가격 줄인상 예고
MIT가 던진 질문, 컴퓨팅은 어디까지 갈 수 있나
컴퓨팅의 한계는 아직 멀다. MIT 테크놀로지 리뷰는 물리 법칙이 정한 한계 아래에 여전히 큰 여지가 남아 있다고 주장했다.
삼성과 중국 CXMT의 D램 기술 격차는 최대 7년
중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 최근 차세대 서버용 D램 출시를 예고하면서 국내 메모리 반도체 업계를 위협할 것이란 우려가 커지는 가운데, 삼성전자와 CXMT의 D램 공정 기술 격차가 양산 시점을 기준으로 최대 7년에 달한다는 분석이 제기됐다. 15일 김동원 KB증권 리서치본부장은 보고서를 통해 “삼성전자와 CXMT의 D램 공정 기술 격차는 양산 시점을 기준으로 5~7년에 달하는 것으로 판단된다”고 밝혔다. KB증권에 따르면, CXMT의 현 주력 공정인 1z(10나노급 3세대 미세공정)의 경우 삼성전자는 이미 2019년 9월 본격적인 양산을 시작했다고 한다.
창신메모리 차세대 메모리 반도체 기술 발표에 세계 증시 출렁
중국 반도체 산업을 대표하는 창신메모리가 차세대 반도체 기술을 개발했다고 발표하면서 한국은 물론 세계 증시가 다시 한 번 출렁거렸습니다. 인공지능, AI 산업의 수익성을 둘러싼 우려가 해소되지 않은 가운데 중국발 뉴스에서 나올 때마다 시장이 크게 요동치는 상황이 반복되고 있습니다.
세계 최초 삼성 vs 물량 70% SK하이닉스, HBM4의 새 적은 CXMT다
삼성전자는 세계 최초 상용 HBM4 출하를, SK하이닉스는 엔비디아 물량 70%를 가져갔다. 그러나 중국 CXMT의 기술 진전 발표 하루 만에 주가가 3~4%씩 흔들렸다.
퀄컴이 화웨이에 특허료를 낸다, 25년 지배가 뒤집혔다
퀄컴이 화웨이와 5G·AI 포괄 특허 계약을 맺고 미국 특허까지 사들였다. 로직폴딩으로 상징되는 기술 패권의 이동과 한국 파운드리가 받을 파장을 짚는다.
EUV 없이 3나노급 찍은 중국… 삼성 2위 마지노선 0.5%P
중국 과학원이 EUV 없이 DUV로 3나노급 성능의 GAA 트랜지스터를 구현했다. 같은 주 파운드리 점유율 삼성 5.9%·SMIC 5.4% — 2위 격차 0.5%P의 의미를 짚는다.
IBM, 1나노미터 이하 AI 칩 기술 선보여
IBM이 0.7나노미터급 AI 칩 기술을 공개하며 차세대 반도체 경쟁에 본격 나섰다. 이 기술은 트랜지스터를 3차원으로 쌓아 칩 성능을 높이고 전력 소비를 줄이며, 5년 내 양산을 목표로 한다.
IBM, 칩 성능 높여 10년 더 발전시킬 기술 공개
IBM이 '무어의 법칙'을 10년 더 이어갈 새 칩 기술을 공개했습니다.
4천억 반도체 장비, 초미세 회로 구현 이끈다
The $400 million machine powering the future of chipmaking You need to enable JavaScript to view this site. Skip to Content