HBM高さ規格緩和が議論に…装置・メモリ業界の思惑が交錯

国際半導体標準機構（JEDEC）が高帯域幅メモリ（HBM）の高さ規格緩和を検討している。これにより、次世代装置の導入時期やメモリメーカーの生産戦略に変化が予想され、関連業界はHBM高さ基準の変化可能性に注目している。

JEDECは現在、HBM製品の高さを従来の720㎛（HBM3Eまで）から775㎛（HBM4）へと引き上げたのに続き、900㎛まで緩和する案を検討中であると伝えられている。

規格緩和は、高積層HBMの生産に必要なハイブリッドボンダーの導入時期を遅らせる可能性がある。これは、HBM TCボンダー市場で71.2%のシェアを持つグローバル1位のハンミ半導体のような既存装置メーカーにとって有利となり得る。一方、ハイブリッドボンダーの開発を完了し、上期に顧客社テストを控えているハンファセミテックのようなメーカーは、導入時期の延期による影響を受ける可能性がある。

メモリメーカーは、高額な装置導入の負担を軽減し、既存プロセスを活用できるため、規格緩和に肯定的である可能性がある。

長期的には、16段以上の高積層HBM開発が加速するにつれて、ハイブリッドボンディング技術の必要性は増している。SKハイニックスは20段以上のHBMにはハイブリッドボンディングが不可欠だと見通しており、サムスン電子も16段以上の高積層をサポートするハイブリッドボンディング技術を公開している。

HBM高さ規格の緩和が現実化すれば、装置投資とメモリ生産戦略にかなりの変化が生じる可能性がある。最終的な標準の方向性は、顧客要求、業界の歩留まりおよびコスト判断などによって複合的に作用し、決定されるだろう。