サムスン・SKハイニックス、NVIDIA製AIチップ用HBM4の先行獲得競争

人工知能（AI）コンピューティングに不可欠な第6世代高帯域幅メモリ（HBM4）市場の先取りを巡り、サムスン電子とSKハイニックスがNVIDIAの次世代AIアクセラレータ「ベラ・ルービン」用HBM4の確保に向け競争に乗り出した。今年の半導体市場の核心技術は第6世代高帯域幅メモリ（HBM）である「HBM4」と「HBM4E」で、この技術は米AI半導体メーカーNVIDIAが推進する次世代AIアクセラレータ「Vera Rubin（ベラ・ルービン）」に搭載される中核メモリとして注目されている。

サムスン電子とSKハイニックスは、3月に米国で開催されたNVIDIAの年次イベント「GTC 2026」でHBM4関連技術を公開し、NVIDIAの次世代AIアクセラレータ供給に向けた先行競争に突入した。ただし、当該アクセラレータの発売が遅延する可能性が指摘されており、両社のHBM4競争時期も遅れる見通しだ。当初、今年下半期のルービン発売と共に本格化すると予想されていたHBM4市場競争は、アクセラレータの電力消費、冷却システム最適化などの技術的課題により、発売が遅延することでやや遅れる見通しだ。

HBM4市場競争が予想より遅れることで、今年下半期にもHBM3Eが市場の主力メモリとして残る可能性が大きくなった。これは、昨年第4四半期基準でHBM3E市場シェア57％で1位を占めたSKハイニックスにとって有利な流れとなる見通しだ。

HBM4の商用化時期がやや遅れることで、サムスン電子は速度競争に追われることなく、安定的な歩留まり確保に集中する機会を得た。これは、これまでSKハイニックスにやや押されていた市場シェアの格差を縮めるための戦略的活用が可能になる。サムスン電子は今年2月にHBM4の量産出荷を開始したが、3月のGTCでは第7世代HBMである「HBM4E」を公開するなど、技術開発に力を入れている。サムスン電子は4月基準でHBM4 12段製品の初期歩留まりを60％水準とし、年末までに85％以上に引き上げることを目標としている。SKハイニックスは昨年2月、HBM4 12段テストで歩留まりが70％を超えたと発表した。

業界関係者は、今後の競争は顧客社が望む物量を適時に供給できる安定的な歩留まり確保にかかっていると見ている。HBM4市場での競争力は、誰がより高い良品率を確保できるかにかかっている。これは顧客社のAIアクセラレータの性能に直結するため、両社とも歩留まり確保に総力を挙げている。