サムスン、次世代AIメモリHBM4Eを公開 NVIDIA CEOジェンスン・フアン「世界最高」と絶賛

サムスン電子は、米国で開催されたNVIDIAの「GTC 2026」で、次世代高帯域幅メモリ（HBM）4Eを業界で初めて公開しました。今回公開されたHBM4Eは、ピンあたり16Gbpsの速度と4.0TB/sの帯域幅をサポートしており、これは既存のHBM4の最大性能と比較して大幅に向上した数値です。サムスン電子は、10nm世代の第6世代DRAM技術と4nmプロセスベースのダイ設計能力、設計から生産まで全てを行う総合半導体企業（IDM）としての強みを活かし、差別化された性能を実現しました。

NVIDIAのジェンスン・フアンCEOはサムスン電子のブースを直接訪問し、サムスンの技術力を「世界最高」と高く評価しました。フアンCEOは「サムスンには世界最高が数多くいる」と述べ、展示されたHBM4E製品の上に「Amazing HBM4」という直筆の賛辞を残しました。

また、ジェンスン・フアンCEOは、NVIDIAの次世代AIチップ「Groq3 LPU」をサムスン電子のファウンドリで製造し、第3四半期から量産するという事実を確認しました。フアンCEOは、当該チップのファウンドリ協力について「サムスンに本当に感謝している」と述べ、両社間の緊密なパートナーシップを改めて強調しました。

サムスン電子は今年、HBMの生産量を昨年比3倍に増やし、HBM全体の出荷量に占めるHBM4の割合を半分以上に拡大して、市場での主導権を強化する計画です。