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삼성과 중국 CXMT의 D램 기술 격차는 최대 7년

모민철모민철 기자· 2026. 10. 15. PM 4:04:03· 수정 2026. 10. 15. PM 5:17:30

삼성전자와 중국 CXMT의 D램 기술 격차가 최대 7년이다.

김동원 KB증권 리서치본부장은 15일 보고서를 통해 삼성전자와 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 D램 공정 기술 격차가 양산 시점 기준 5~7년에 달한다고 밝혔다.

양산 시점이 말해주는 격차

KB증권에 따르면 CXMT의 현 주력 공정인 1z(10나노급 3세대 미세공정)는 삼성전자가 2019년 9월부터 양산을 시작했다. CXMT가 올해 9월 양산에 착수한 1a(10나노급 4세대) 공정도 삼성전자가 2021년 10월부터 양산을 시작해 약 5년의 시차가 있다.

CXMT가 공개한 4F² 구조 D램은 중국의 기술적 진전을 보여준 사례이지만, 실질적인 시장 경쟁력 확보로 해석하기는 이르다는 게 김 본부장의 판단이다. 신기술 상용화에는 성능과 수율, 원가 경쟁력, 고객사 인증 및 대량 양산 능력에 대한 검증이 선행돼야 하기 때문이다. 4F²는 셀 면적을 기존 6F²보다 30% 이상 줄여 같은 크기에 더 많은 데이터를 저장하는 차세대 고집적 설계 규격이지만, 상업적 수요와 시장 형성은 아직 가시화되지 않았다. 삼성전자도 2023년 4F² 기반 수직 채널 트랜지스터 구현 기술을 발표한 바 있다. 김 본부장은 삼성전자가 선단 공정의 양산 경험과 수율 안정화, 고객사 인증 등에서 축적된 경쟁력을 갖췄다며 중국의 기술 격차 축소 가능성은 제한적이라고 진단했다.

그는 "메모리 반도체 경쟁력은 단순한 신공정 개발이 아닌 안정적인 대량 양산과 수율 확보 및 고객사 인증 능력에 의해 결정된다"며 "CXMT가 기존 공정의 기술적 완성도를 높이는 동안 삼성전자는 차세대 선단 공정과 HBM(고대역폭메모리)을 중심으로 기술 고도화를 지속하고 있다"고 설명했다. 삼성전자 주가는 10월 들어 16% 하락해 주가수익비율(PER) 3배 수준을 기록했다. 김 본부장은 이러한 주가 조정 국면에서 배당 확대와 자사주 소각을 병행하는 주주환원 정책 기대와 함께 비중 확대의 기회가 될 수 있다고 밝혔다.

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