SKハイニックス、AI時代の先駆者としてAIメモリ技術を披露

SKハイニックスは台湾のCOMPUTEX 2026で、「AI時代の中心はメモリ」というメッセージを前面に打ち出し、AIメモリ分野におけるリーダーシップを強調した。SKハイニックスは6月2日から5日まで台湾・台北南港展示センターで開催された「COMPUTEX 2026」に、「At the core of the AI wave – Memory!」をコンセプトに出展し、AI時代においてメモリが中心的な役割を果たすことを強調した。

SKハイニックスのブースの核心は、NVIDIAとの協業を示す「AIファクトリーゾーン」で、NVIDIA製品とSKハイニックスのメモリソリューションを共に配置することで、実際のAIシステムにおけるメモリの役割を視覚的に伝えた。この空間には、NVIDIAの最新スーパーコンピューター「DGX Spark」と、それに搭載されるSKハイニックスのLPDDR5X、次世代AIアクセラレーター「GB300」とSKハイニックスのHBM3Eなどが共に展示され、両社の技術的シナジーを披露した。ジェンスン・フアンNVIDIA CEOは6月2日、SKハイニックスの展示ブースを訪れ、チェ・テウォンSKグループ会長と面会し、両社の協力製品に直接サインを残した。展示空間には、NVIDIAの最新AIアクセラレーター「GB300」の実物と、それに搭載されるSKハイニックスのHBM3Eが展示され、ジェンスン・フアンNVIDIA CEOのサインが入った「NVIDIA Partner Sign」も共に展示され、両社の協力関係を象徴的に示した。GB300のモックアップは、来場者がAIアクセラレーターの内部構造やメモリ配置を容易に理解できるよう手助けした。発売予定のNVIDIAスーパーチップ「Vera Rubin」のモックアップと、SKハイニックスのLPCAMM2、HBM4も共に展示された。「Scalable AI with Confidence」というフレーズは、次世代AIインフラに向けた両社の協業が継続されることを強調した。

AIモデルの拡張とサービス範囲の拡大に伴い、メモリの帯域幅、容量、電力効率、パッケージング技術はシステム拡張性の核心条件となる。SKハイニックスは、HBMと特化型モジュール、サーバー用メモリ製品を通じて、AIインフラの拡張性を支援した。SKハイニックスの展示ブース下段には、「Chronicle of SK hynix's HBM」セクションが設けられ、HBM開発の歴史を一目で確認できるようになった。HBMは、複数のDRAMを垂直に接続して帯域幅を高めた高付加価値メモリであり、AIアクセラレーターの性能競争が激化するにつれて、メモリ業界の核心製品として浮上した。SKハイニックスはHBM開発の道のりを時系列で展示し、現在の市場地位が長年の技術蓄積の成果であることを強調した。HBM4Eの内部構造モックアップも共に展示され、最先端パッケージングおよび積層技術の方向性を示した。

ブース中央の「製品ポートフォリオゾーン」は、SKハイニックスのAIメモリラインナップを示す空間であり、「AI Frontier & Industry Standards」と「Infrastructure & Next-Gen」の2つのセクションに分かれた。現在のAIエコシステムを牽引する主力製品から、将来のインフラに向けた次世代ソリューションまでを一目で把握できるよう構成された。「AI Frontier & Industry Standards」セクションには、HBM3E 36GB 12段、HBM4 48GB 16段、HBM4E 48GB 12段が主要ラインナップとして配置された。これらの製品は、AIアクセラレーターや高性能コンピューティング環境に必要な帯域幅と容量を提供する。さらに、AIワークロードに合わせて大容量を実現した3DS RDIMM 256GB、10nmクラス第6世代プロセスのRDIMM 64GB、高帯域幅サーバーメモリDDR5 MRDIMM 128GBも紹介された。AIサーバーが処理すべきデータ量が増加するにつれて、サーバー用DRAMの性能と効率はデータセンター競争力の核心要素となっている。eSSDラインナップも注目を集めた。SKハイニックスは、液体冷却をサポートするPEB210 E1.Sに加え、NVMe E3.S規格の高容量・低電力製品PS1110 E3.S、QLCベースeSSD PS1101 E3.Sを発表した。AIデータセンターは、学習および推論プロセスにおいて大規模データを繰り返し読み書きする必要があるため、ストレージは単なる保管機能を超え、AIインフラの性能を左右する核心要素と評価されている。SKハイニックスは、DRAMとNANDベースの製品を共に提示し、AIインフラ全体を網羅するメモリ・ストレージポートフォリオを強調した。

「Infrastructure & Next-Gen」セクションでは、次世代メモリソリューションが中心となった。特にHBFは、HBMのようにTSV技術でNANDを垂直積層する新しい概念のメモリとして紹介された。AIインフラがより大きなデータ処理量と高い効率を要求する方向に進化するにつれて、HBFは次世代データセンターとAIシステム構造の変化を主導する技術として注目された。このセクションには、ZUFS 4.1とLPCAMM2も展示された。ZUFS 4.1は、ランダム読み出し性能を強化し、大規模言語モデル(LLM)のロード時間を短縮することに焦点を当てた製品である。LPCAMM2は、複数のLPDDR5Xを一つのモジュールにまとめ、低電力環境でも高い速度を提供する。