SKハイニックス、HBM4Eサンプル供給…メモリ競争に火花

SKハイニックスが第7世代高帯域幅メモリ（HBM4E）12段サンプルの主要顧客への供給を開始し、メモリ市場の主導権争いに本格的に突入した。これは高性能メモリ市場での主導権確保に向けた競争の幕開けを告げるものだ。SKハイニックスは6月18日、次世代AI用超高性能DRAMであるHBM4E 12段サンプルを顧客に納品したと発表した。

これは、先にサムスン電子が「業界初の量産出荷」を発表してから約1ヶ月後に行われた措置だ。SKハイニックスが供給したHBM4Eサンプルは、最大16Gbpsのデータ処理速度を実現し、前世代（HBM4）より30%以上高速化、エネルギー効率も約20%改善した。また、10ナノ級第6世代（1c）DRAMと自社独自の先端MR-MUFパッケージング技術を適用し、48GBの容量を実現した。

HBM市場の主導権争いは、HBM4からHBM4Eへと拡大する見通しだ。市場調査会社カウンターポイントリサーチによると、今年第1四半期のHBM市場シェアはSKハイニックスが58%で、サムスン電子とマイクロンを合わせた数値を上回った。

専門家らは、サンプル検証段階を経て、今後の顧客による評価と量産競争力が市場主導権の行方を決定すると強調した。イ・ジョンファンवाईसी（サンミョン大学システム半導体学科）教授は、開発サンプルの提供自体は難しくないとし、顧客がサンプルを受け取った後に納品比率を決定する段階で、品質と量産性が最終的に重要になると述べた。

SKハイニックスは、HBM3時代から続く主要顧客とのパートナーシップを強みとする戦略を展開している。これは、次世代製品を先駆けて公開し、技術リーダーシップを強調するサムスン電子との差別化ポイントとなっている。