SKハイニックス、初の米国HBM工場建設…2029年の量産目指す
SKハイニックスが米国に「HBM」工場を建設する。HBMは人工知能（AI）の性能を決定づける核心メモリであり、SKハイニックスが米国内で直接生産するのは今回が初めてである。同社は27日（現地時間）、米インディアナ州ウェストラファイエットにあるパデュー大学で、次世代高帯域幅メモリ（HBM）の先進パッケージング生産拠点の定礎式を行ったと30日に明らかにした。
インディアナファブに40億ドル以上を投入し、2029年下半期から第7世代HBMであるHBM4Eの量産を目標とする。スケジュールは具体的に定められた。インディアナファブは2028年10月にクリーンルームの完工を予定している。インディアナファブは韓国でDRAMウェーハを生産して米国に持ち込み、パッケージングとテストを経て現地の顧客企業に供給する構造である。
ナスダックADRで用意した投資財源は既に確保している。SKハイニックスは先月7月、ナスダックに米国預託証券（ADR）を上場し、ADR1億7790万株を1株149ドルで発行して総額265億7100万ドルを調達した。実際の新株発行代金は39兆8905億ウォンと集計され、調達目的は運用資金や買収（M＆A）ではなく設備資金と明記された。ただし、ナスダックで確保した資金の全てがインディアナファブに投入されるわけではない。
米政府の支援も投資を後押しする。米商務省は半導体法（CHIPS法）に基づき、インディアナプロジェクトに対し最大4億5800万ドルの直接補助金支援を決定し、最大5億ドルの連邦政府融資も提供できるようにした。二つの項目を合わせると最大9億5800万ドルの規模となる。
SKハイニックスは生産施設と共に先進パッケージングR＆Dテストベッドを構築し、パデュー大学と次世代パッケージング技術の共同研究に着手する。両者はHBMを含む次世代システム集積および先進パッケージング技術を研究し、試作品の製作と性能検証まで進める計画だ。これに関連し、100社以上の素材・部品・装備企業と協力して約7000の直接・間接雇用を創出し、本格稼働後は約1000人が勤務する米国核心HBM生産拠点に育てる計画である。
クァク・ノジョン（郭魯正）SKハイニックスCEOは定礎式で「米国は最高の顧客と研究能力、エコシステムが共にあるAIイノベーションの中心地」であり、「インディアナファブは初めて『Made in USA』HBMを提供する拠点となる」と述べた。続いて「米国への投資と協力を拡大し、共に成長しながらAIの未来を共に創る最も信頼されるパートナーになる」と強調した。
