中国のDRAM技術追撃、サムスン・SKハイニックスの収益性に影響

中国のメモリ半導体企業がサーバー用DDR5メモリの発売や次世代3D DRAMの開発を急ぎ、韓国企業の高い収益を脅かしています。

中国最大のDRAMメーカーである長鑫存儲技術（CXMT）は、技術格差を縮めサーバー用DDR5の量産に成功しており、昨年の売上高が大幅に成長し、韓国半導体産業の収益構造に変化を予告しています。

揚子江メモリテクノロジー（YMTC）はNANDフラッシュの強みを基盤にDRAM市場への進出と大規模な設備投資を推進し、総合メモリ企業への体質改善を図っています。YMTCは6月に企業公開（IPO）申請書を提出する予定です。武漢市の2026年主要プロジェクト計画によると、YMTCとXMCを中心にメモリ・ストレージ分野に総額380億ドル規模の投資が執行される予定です。YMTCは2026年末の稼働を目指し、第3工場の設備搬入と検証を進めており、月2万5000枚規模の試作生産を開始しました。今後、DRAM生産能力を月5万枚から最大10万枚まで拡大する方針です。

中国企業は極紫外線（EUV）露光装置の導入に制約があるという限界を抱えています。現在、投資家は中国上場企業の設備投資執行速度、追加ファブの実際の稼働時期、グローバルサーバー市場における中国製DDR5 DRAMの実質的な採用率の変化、サムスン電子とSKハイニックスの次世代プレミアム製品開発における格差維持の可否などを注視しています。