삼성전자 4나노 선단공정, HBM4 베이스 다이에 적용

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)의 핵심 부품인 베이스 다이에 자체 반도체 위탁생산 선단 공정을 적용한다. HBM은 여러 DRAM을 하나로 묶어 데이터를 빠르게 처리하는 메모리 반도체이며, 베이스 다이는 이를 받쳐주고 컨트롤러와 연결하는 역할을 한다.

구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 27일 삼성전자 반도체 뉴스룸과의 인터뷰에서 기존 메모리 공정 대신 삼성 파운드리 4나노 4세대 공정을 HBM4와 HBM4E 베이스 다이에 적용했다고 밝혔다. 이를 통해 14Gbps 이상의 동작 속도를 구현했으며, 금속 배선 구조를 최적화해 전력 소모와 방열 성능도 개선했다고 설명했다.

메모리와 파운드리, 패키징을 모두 아우르는 통합 솔루션을 통해 설계 단계부터 부서 간 협업으로 양산 기간을 단축하고 비용 경쟁력을 확보한 점을 차별화된 경쟁력으로 강조했다.