CXMT가 11.95나노미터 D램 양산에 나섰다
중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)(중국 메모리 반도체 선두업체, 본사 허페이 소재)가 회로 간격 11.95나노미터(1나노미터는 10억분의 1미터)의 D램 5세대 기술 플랫폼 양산에 나섰다.
20일 업계에 따르면 CXMT는 이날 중국 안후이성 허페이에서 열린 '2026 세계 제조업 대회'에서 새 플랫폼을 공개했다. D램은 컴퓨터나 스마트폰이 데이터를 임시로 저장하는 메모리 칩으로, 회로 간격이 좁을수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 담을 수 있다. 회사는 칩 내부 데이터 저장 영역을 더 촘촘하게 만들어 간격을 11.95나노미터까지 줄였으며, 이를 위해 동일한 제조 공정을 여러 번 반복해 더 미세한 회로를 만드는 '쿼드러플 패터닝' 기술을 적용했다고 설명했다.
뤄샤오둥 CXMT 부사장은 "현재 우리의 공정 기술 수준은 업계에서 양산되고 있는 가장 첨단 공정과 대등하다"고 밝혔다.
CXMT에 따르면 5세대 플랫폼은 4세대보다 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 칩 수가 최소 50% 늘었으며, 이에 따라 전력 효율과 원가 경쟁력도 개선됐다. CXMT는 새 플랫폼 기반의 24Gb LPDDR5X 제품 2종도 공개했다. LPDDR5X는 스마트폰 등 모바일 기기에 쓰이는 저전력 D램이다. 두 제품은 이미 양산에 들어가 중국 주요 스마트폰 업체의 플래그십 제품에 공급되고 있다고 회사는 밝혔다.
카운터포인트리서치(글로벌 시장조사기관)에 따르면
골드만삭스(미국 투자은행)는
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