中国YMTC、日本キオクシア抜いてNANDフラッシュ3位に…サムスン電子も視野

市場調査会社のカウンターポイントリサーチが発表した2026年第2四半期の調査で、中国の半導体企業YMTC（長江存储）が、スマートフォンなどに搭載される記憶装置であるNANDフラッシュの出荷量ベースで史上初の世界3位に浮上し、日本のキオクシアを抜いたことが明らかになった。YMTCの出荷量は前年同期比22%、前四半期比5%増加した。第2四半期の出荷量シェアは、サムスン電子が25%で1位を維持し、SKハイニックスとソリディムを合わせた22%が2位となった。カウンターポイントリサーチは「サムスン電子は生産余力が限られた状況で収益性の高いDRAMを優先生産したため、NANDの出荷量が減った」「YMTCは供給不足の恩恵を受けた」と分析している。売上高シェアの推移も同様の方向で、サムスン電子のシェアは2024年第2四半期の35%から2026年第1四半期には29%に縮小し、YMTCは同期間に6%から13%へ拡大した。

YMTCは中国・武漢で3番目のNAND工場を建設中で、年末の稼働を目標に来年から本格的な生産に入る予定だ。YMTCはさらに工場を2つ増設し、ウェーハ月産30万枚の生産能力を確保、長期的には月産50万枚規模を目指すなど、サムスン電子（約39万枚）とSKハイニックス（約24万枚）の生産能力をうかがっている。

YMTCはメモリセルと周辺回路を別々のウェーハで製造した後、ウェーハ・ツー・ウェーハ（W2W）方式で直接接合する「ハイブリッドボンディング」技術を早期に導入し、面積効率を高めた。フランスの特許分析企業ノウメイドの集計によると、ハイブリッドボンディング関連の特許保有件数はYMTCが119件（2017～2024年1月）で、サムスン電子（83件、2015～2023年）やSKハイニックス（11件、2020～2023年）を上回っている。サムスン電子も400層以上の積層では技術的な難易度が高まることから、昨年YMTCからハイブリッドボンディング特許を導入した。

サムスン電子メモリー事業部のキム・ジェジュン（金在埍）副社長は第2四半期決算説明会で「ボンディングと3スタック技術を適用した第10世代V-NANDを8月から量産する計画だ」と明らかにした。FMS 2026でサムスン電子は400層以上を積層したV10 BV-NANDを、SKハイニックスは375層の第10世代4D NANDを披露し、YMTCは昨年のFMS 2025で約294層のNANDを公開した。

技術的な格差は依然としてあるものの、YMTCは低価格の汎用NANDを大量に出荷し、市場シェアを引き上げている。YMTCはすでにサムソン電子の企業向けeSSD（PM1753）と仕様が類似した製品を投入しており、今年下半期からはeSSDを中心に製品構成を転換し、シェアと収益性の両方を目指す構えだ。