SK하이닉스, AI 시대 선두 AI 메모리 기술 선보여

SK하이닉스가 대만 컴퓨텍스 2026에서 'AI 시대의 중심은 메모리'라는 메시지를 앞세워 AI 메모리 리더십을 부각했다.

SK하이닉스는 6월 2일부터 5일까지 대만 타이베이 난강 전시센터에서 열린 'COMPUTEX 2026'에 'At the core of the AI wave – Memory!'를 콘셉트로 참가해 AI 시대의 핵심이 메모리임을 강조했다. SK하이닉스 부스의 핵심은 엔비디아와의 협업을 보여주는 'AI 팩토리 존'으로, 엔비디아 제품과 SK하이닉스 메모리 솔루션을 함께 배치해 실제 AI 시스템에서의 메모리 역할을 시각적으로 전달했다. 이 공간에는 엔비디아의 최신 슈퍼컴퓨터 'DGX Spark'와 여기에 탑재되는 SK하이닉스의 LPDDR5X, 차세대 AI 가속기 'GB300'과 SK하이닉스의 HBM3E 등이 함께 전시되어 양사의 기술적 시너지를 선보였다.

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 6월 2일 SK하이닉스 전시 부스를 방문해 최태원 SK그룹 회장을 만나 양사의 협력 제품에 직접 사인을 남겼다. 전시 공간에는 엔비디아의 최신 AI 가속기 'GB300' 실물과 여기에 탑재되는 SK하이닉스의 HBM3E가 전시되었다. 젠슨 황 엔비디아 CEO의 사인이 담긴 'NVIDIA Partner Sign'도 함께 전시되어 양사의 협력 관계를 상징적으로 보여주었다. GB300 모형은 관람객들이 AI 가속기 내부 구조와 메모리 배치를 쉽게 이해하도록 도왔다.

출시 예정인 엔비디아 슈퍼칩 'Vera Rubin' 모형과 SK하이닉스의 LPCAMM2, HBM4가 함께 전시됐다. 'Scalable AI with Confidence'라는 문구는 차세대 AI 인프라를 향한 양사의 협력이 지속됨을 강조했다. AI 모델의 확장과 서비스 범위 확대에 따라 메모리의 대역폭, 용량, 전력 효율, 패키징 기술은 시스템 확장성의 핵심 조건이 된다. SK하이닉스는 HBM과 특화 모듈, 서버용 메모리 제품을 통해 AI 인프라의 확장성을 뒷받침했다. SK하이닉스 전시 부스 하단에는 'Chronicle of SK hynix's HBM' 섹션이 마련되어 HBM 개발 역사를 한눈에 볼 수 있었다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 대역폭을 높인 고부가가치 메모리로, AI 가속기 성능 경쟁이 심화되면서 메모리 업계의 핵심 제품으로 떠올랐다. SK하이닉스는 HBM 개발 여정을 시간순으로 전시하며 현재 시장 지위가 오랜 기술 축적의 결과임을 강조했다. HBM4E 내부 구조 모형도 함께 전시되어 첨단 패키징 및 적층 기술의 방향성을 제시했다.

부스 중앙의 '제품 포트폴리오 존'은 SK하이닉스의 AI 메모리 라인업을 보여주는 공간으로, 'AI Frontier & Industry Standards'와 'Infrastructure & Next-Gen' 두 섹션으로 나뉘었다. 현재 AI 생태계를 이끄는 주력 제품부터 미래 인프라를 위한 차세대 솔루션까지 한눈에 파악할 수 있도록 구성했다. 'AI Frontier & Industry Standards' 섹션에는 HBM3E 36GB 12단, HBM4 48GB 16단, HBM4E 48GB 12단이 핵심 라인업으로 배치됐다. 이 제품들은 AI 가속기와 고성능 컴퓨팅 환경에 필요한 대역폭과 용량을 제공한다. 또한, AI 워크로드에 맞춰 고용량을 구현한 3DS RDIMM 256GB, 10나노급 6세대 공정의 RDIMM 64GB, 고대역폭 서버 메모리 DDR5 MRDIMM 128GB도 소개됐다. AI 서버가 처리해야 할 데이터 양이 증가하면서 서버용 D램의 성능과 효율은 데이터센터 경쟁력의 핵심 요소로 자리 잡았다.

eSSD 라인업도 주목받았다. SK하이닉스는 액체 냉각을 지원하는 PEB210 E1.S 외에도 NVMe E3.S 규격의 고용량·저전력 제품 PS1110 E3.S, QLC 기반 eSSD PS1101 E3.S를 선보였다. AI 데이터센터는 학습과 추론 과정에서 대규모 데이터를 반복적으로 읽고 써야 하므로, 저장장치는 단순 보관 기능을 넘어 AI 인프라 성능을 좌우하는 핵심 요소로 평가받는다. SK하이닉스는 D램과 낸드 기반 제품을 함께 제시하며 AI 인프라 전반을 아우르는 메모리·스토리지 포트폴리오를 강조했다.

'Infrastructure & Next-Gen' 섹션에서는 차세대 메모리 솔루션이 중심을 이뤘다. 특히 HBF는 HBM과 같이 TSV 기술로 낸드를 수직 적층하는 새로운 개념의 메모리로 소개되었다. AI 인프라가 더 큰 데이터 처리량과 높은 효율을 요구하는 방향으로 진화함에 따라, HBF는 차세대 데이터센터와 AI 시스템 구조 변화를 이끌 기술로 주목받았다. 이 섹션에는 ZUFS 4.1과 LPCAMM2도 전시됐다. ZUFS 4.1은 랜덤 읽기 성능을 강화하고 대형언어모델(LLM) 로딩 시간을 단축하는 데 초점을 맞춘 제품이다. LPCAMM2는 여러 개의 LPDDR5X를 하나의 모듈로 묶어 저전력 환경에서도 높은 속도를 제공한다.